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低溫砷化鎵基片外延生長定制

簡要描述:低溫砷化鎵基片外延生長定制基底上生長高質(zhì)量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層,適用于不同應(yīng)用。

  • 產(chǎn)品型號:LT-GaAs
  • 更新時間:2024-12-26
  • 訪  問  量:1078

產(chǎn)品簡介

品牌其他品牌供貨周期兩周
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,化工,電子

詳細介紹

LT-GaAs低溫砷化鎵基片外延生長定制

GaAs砷化鎵是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物,黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不為非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵可作半導體材料,其電子遷移率高、介電常數(shù)小,能引入深能級雜質(zhì)、電子有效質(zhì)量小,能帶結(jié)構(gòu)特殊,可作外延片。

1、半導體光電子器件結(jié)構(gòu)生長

我們可在GaAs砷化鎵基底上生長高質(zhì)量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層,適用于不同應(yīng)用。

2、低溫砷化鎵

對于某些應(yīng)用需要快速響應(yīng)裝置,例如光學探測器、可飽和吸收器 或光電導天線。我們提供低溫外延生長器件,響應(yīng)時間短至1  ps。

我們可提供以下在GaAs襯底上生長的一個或兩個單層的低溫砷化鎵。

低溫砷化鎵基片外延生長定制參數(shù)如下:

  • 砷化鎵晶片直徑:2" 或4"

  • 最大薄膜疊層厚度:5 μm

規(guī)格:

  • LT-GaAs-50.8:2"(50.8 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-GaAs-100:4"(100 mm)LT-GaAs晶片

  • LT-InGaAs-100:4"(100  mm)LT-InGaAs晶圓片

  • LT-GaA-100-C:具有定制金屬結(jié)構(gòu)的4"(100  mm)LT-GaAs晶圓片


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