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簡要描述:用于超快激光器的鈦藍寶石晶體HEM與國際高強度激光專家社區(qū)合作,開發(fā)了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石超快激光光學器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti:Sapphire 激光光學器件,以支持當今的高強度激光設(shè)施。
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品牌 | 其他品牌 | 供貨周期 | 一個月以上 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,電子 |
詳細介紹
用于超快激光器的鈦藍寶石晶體HEM與國際高強度激光專家社區(qū)合作,開發(fā)了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石超快激光光學器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti:Sapphire 激光光學器件,以支持當今的高強度激光設(shè)施。
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Crystal Systems專有的HEM技術(shù)可產(chǎn)生直徑達220 mm的晶體尺寸的優(yōu)質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)。由HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石晶體制成的超快激光光學元件的波前值為1/10或更高,F(xiàn)OM值高達1000。
低損傷HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光材料在Crystal Systems的光學制造設(shè)施中加工,具有極其緊密的幾何形狀和晶體對準。晶體質(zhì)量和光學制造工藝的各個方面都通過專業(yè)測試和測量設(shè)備進行驗證。我們提供有關(guān)HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光光學器件的激光、光學和機械屬性的詳細質(zhì)量報告。
Crystal Systems與國際高強度激光專家社區(qū)合作,開發(fā)了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石超快激光光學器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti:Sapphire 激光光學器件,以支持當今的高強度激光設(shè)施。
直徑 220 mm
出色的均勻性
熱性能
高效指標
無散射
高激光損傷閾值
提供大尺寸和高摻雜材料
532 nm 的 Alpha 值 0.5-8.0/cm
FOM(品質(zhì)因數(shù))與吸收 – HEM® 工藝旨在最大限度地提高 532 nm 處的吸收,并減少 800 nm 處的寄生吸收,從而提供業(yè)內(nèi)最高的 FOM 值。每個晶體系統(tǒng)HEM® Ti:藍寶石晶體都經(jīng)過實際FOM值測試,這些值是業(yè)內(nèi)最高的(高達1000)。
HEM Ti:Sapphire 的可調(diào)范圍 – HEM® Ti:sapphire 具有從 650 nm 到 1200 nm 的寬可調(diào)范圍,峰值強度約為 800 nm。材料的寬帶寬允許短脈沖和高重復(fù)率。我們的 Ti:Sapphire 激光光學器件提供一系列鈦摻雜濃度(0.5 至 8.0 @ alpha 532 nm),允許調(diào)整整體路徑長度設(shè)計,以滿足您的總低功耗單次吸收 (LPSP)。
吸收/熒光 – Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光器通常使用π偏振操作。該圖表顯示了HEM® Ti:Sapphire在π偏振中的吸收和熒光帶。
布魯斯特角激光晶體 – 我們大多數(shù)較小的晶體都用布魯斯特角(Brewster’s Angle )端拋光,以最大限度地減少反射損失。布魯斯特角基于材料的折射率。Ti:Sapphire 的折射率為 ~1.76,從而產(chǎn)生 ~60.4° 的布魯斯特角。我們的C軸旋轉(zhuǎn)精度受到嚴格控制,以避免激光調(diào)制。
先進的激光拋光和高損傷涂層 – Crystal Systems將先進的拋光技術(shù)應(yīng)用于其高功率激光光學器件,以產(chǎn)生埃級粗糙度和低次表面損傷。我們進行測試以確保高且可重復(fù)的激光損傷閾值。
防反射鍍膜 – 晶體系統(tǒng)為多通放大器晶體提供先進的增透鍍膜。我們的涂層設(shè)計用于在泵浦和激光波長下提供最大效率。AR涂層在現(xiàn)場成功運行,具有始終如一的高激光損傷閾值結(jié)果,使激光操作員能夠準確地計算泵浦功率,從而以較低的損壞風險大化功率輸出。
高品質(zhì)HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光晶體以的晶體結(jié)構(gòu)和正確的3+價電子態(tài)開始。我們通過多階段、嚴格的檢測流程,使用先進的測試和測量設(shè)備,確保這些要求。我們測試棒材的吸收值、均勻性、光散射、FOM、平坦度和透射波鋒。每個HEMTi:藍寶石激光棒都使用先進的設(shè)備和專業(yè)的激光技術(shù)人員進行檢查和驗證。對質(zhì)量和精度的全力關(guān)注保證了我們的激光晶體尺寸、表面和晶體結(jié)構(gòu)為您的激光平臺的高功率水平和出色的光束分布奠定了基礎(chǔ)。® ®
HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石的寬發(fā)射范圍(650 nm 至 1200 nm)、高功率密度泵浦能力以及出色的熱性能使當今的高強度激光平臺成為可能。這些設(shè)施正在創(chuàng)造下一代基于激光的應(yīng)用,如質(zhì)子治療、加速器物理、核物理、遠場物理、紅外光譜和材料表征。Crystal Systems與客戶密切合作,開發(fā)新的晶體設(shè)計,以便超快激光社區(qū)能夠繼續(xù)提高其產(chǎn)品的可靠性和性能。®
以下測試結(jié)果來自Crystal Systems對HEMTi:Sapphire Amplifier Crystals上使用的AR涂層進行的定期測試之一。這些結(jié)果代表了我們的涂層可以預(yù)期的損傷閾值。®
測試類型:激光損傷閾值
基板材料:HEM Ti:藍寶石
試樣尺寸:直徑 1"
涂層類型:AR
測試波長: 532 nm
入射角:0o
脈沖重復(fù)頻率:10 Hz
極化:線性
測試光束輪廓:透射電鏡脈沖寬度(FWHM):10 ns 軸向模式:多S
凹坑直徑: 570 μm
site數(shù): 80
測試方法:激光損傷頻率
曝光持續(xù)時間:200shots/site
損傷定義:等離子體,增加的He-Ne散射,使用100X Nomarski明場顯微鏡觀察到的可見損傷。
結(jié)果描述:部分以13.00 Jcm-2照射,10個點未損壞
激光傷害閾值:在 14.16 Jcm-2 峰值通量下計算
測試由Spica Technologies Inc.公司提供。
高度均勻的結(jié)晶 HEM 生長鈦:藍寶石晶體 |
激光拋光(10-5 或更好的布魯斯特角截面) |
90° |
L/10 平面度@632nm |
精細研磨 |
L/4 PV @632nm 可最大限度地減少空間變化并最大限度地提高光束質(zhì)量 |
PL (毫米) | LPSP@532nm | 3.0mm x 3.0mm | ~3.50cm-1 | > 200 | ||||||||||
2.9 | ~87% | 1.5mm x 3.0mm | ~5.00cm-1 | > 150 | ||||||||||
4 | ~89% | 2.0mm x 4.0mm | ~1.05cm-1 | > 400 | ||||||||||
20 | ~94% | 5.0mm ? | ~5.00cm-1 | > 150 | ||||||||||
20 | ~94% | 6.2mm ? | ~1.30cm-1 | > 400 | ||||||||||
25.4 | ~92% | 等級 | 拋光類型 | 徑向 | 取向 | 直徑公差 | 平整度 | 外徑表面 | TWE | 鍍膜 | AR鍍膜反射 | 激光損傷閾值測試 | 直徑 | LPSP @532nm |
15 | 8mm ? | ~92% | ||||||||||||
15 | 15mm ? | ~92% | ||||||||||||
20 | 16x 16mm2 | ~92% | ||||||||||||
20 | 25mm ? | ~92% | ||||||||||||
20 | 40mm ? | ~92% |
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